国内首款2Tb/s3D集成硅光芯粒成功出样

研制背景和意义

国内首款2Tb/s3D集成硅光芯粒的成功研制，标志着我国在硅光子技术领域取得了重大突破。硅光子技术是一种新兴的技术，它利用硅光芯片进行高速数据传输，相比传统的电子学技术，硅光子技术可以实现更快的传输速率、更远的传输距离以及更低的功耗和延迟。这项技术的发展，不仅能够推动我国信息技术的进步，也为国内信息光电子技术的率先突围探索出了可行路径。

技术特点和突破

该款硅光互连芯粒在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。这是在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，通过突破光电协同设计仿真方法、研制硅光配套的单路超200Gdriver和TIA芯片，并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术而实现的。这一集成方案充分利用了硅光与CMOS封装工艺兼容的特点，显著降低了射频信号在光-电芯片互连过程中的严重衰减，使得数据传输的速率和稳定性得到了大幅提升。

应用前景和市场预期

硅光芯粒的研发成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的CPO、NPO、LPO、LRO等各类光模块产品中。随着人工智能应用的快速发展，AI算力系统对于高效能互连技术的需求呈现爆发性增长态势，这为硅光芯粒的应用提供了广阔的市场空间。此外，芯粒技术也被认为是未来芯片行业发展的重要方向，市场规模有望实现高速增长。

巨头企业的关注和支持

华为、台积电、英特尔、IBM、Oracle等科技巨头都在推进硅光的产业化，显示出他们对硅光芯粒技术未来发展的高度关注和支持。这些巨头的企业实力和市场影响力，无疑将为硅光芯粒技术的商业化进程注入强大的动力。
综上所述，国内首款2Tb/s3D集成硅光芯粒的成功研制，是我国在硅光子技术领域取得的重大突破，具有重要的科研价值和市场前景。随着相关技术的不断成熟和完善，硅光芯粒有望在未来的大数据时代发挥重要作用，并带动相关产业链的快速发展。

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